RT809官方教程——2018迅维技术交流会--季春老师现场解读存储器（三）

shirleyhuang

Flash Memory (Flash erase EEPROM)：

Flash属于广义的EEPROM，因为它也是电擦除的rom。与EEPROM不同，Flash擦除时不再以字节为单位，而是以Block块或Page页为单位，速度更快，所以被称为Flash erase EEPROM 。

任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。一般自带数据缓冲buffer。

Flash有Nor Flash和Nand Flash两种。

Flash存储单元由EEPROM过渡而来，核心依旧使用浮栅，但省去了一个控制管。Nor和Nand两种flash的存储单元排列形式不同,如下图：

NOR技术Flash Memory结构，每两个单元共用一个位线接触孔和一条源线，采用CHE（沟道热电子）的写入和源极F—N擦除，具有高编程速度和高读取速度的优点。但其编程功耗过大，在阵列布局上，接触孔占用了相当的空间，集成度不高。

NAND结构通过多位的直接串联，将每个单元的接触孔减小到1／2 n(n为每个模块中的位数，一般为8位或1 6位)，因此，大大缩小了单元尺寸。NAND采用编F—N写，沟道擦除，其最大缺点是多管串联，读取速读较其他阵列结构慢。

Flash存储结构：

NAND Flash 存储结构：

Flash存储阵列的组成：page>block>plane>device

Nor Flash与Nand Flash 比较：

性能：

NOR的读速度比NAND稍快一些;

NAND的写入速度和擦除速度比NOR快很多;

NOR可以直接使用，并可在上面直接运行代码;

NAND一般不能直接运行程序，需要先拷贝到RAM区，再运行;

NOR可以按字节来操作;

NAND只能以页或者块为单位操作.

接口：

NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。

NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。

容量成本：

NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，容量密度较高，成本较低；

用途：

NOR主要应用在代码存储介质，方便直接运行代码，如BIOS。

NAND适合存储大容量数据。

3D NAND：

容量更大、速度更快、价格更便宜、可靠性更高

中国企业在此领域也发展迅猛，紫光集团控股的长江存储已经生产出32层64GB的3D NAND。

eMMC：Embedded MultiMedia Card

由于NAND Flash芯片的不同厂牌包括三星、东芝(Toshiba)或海力士(Hynix)、镁光(Micron)等，当手机、电视客户在导入时，都需要根据每家公司的产品和技术特性来重新设计，过去并没有1个技术能够通用所有厂牌的NAND Flash芯片。

eMMC(Embedded MultiMedia Card )为MMC协会所订立的内嵌式存储器标准规格，主要是针对手机产品为主;eMMC结构由一个嵌入式存储解决方案组成，带有MMC(多媒体卡)接口、快闪存储器设备及主控制器——所有在一个小型的BGA封装。

eMMC内部结构：

eMMC=NAND falsh+控制器+标准接口（遵循eMMC协议）

EMMC对外接口有：

VCC:供电；

VCCQ:控制器核心供电；

Reset：复位，内部复位和外部复位；

VDDi：内部核心控制逻辑；

CLK：时钟；

CMD：指令；

DATA0-DATA7：8位数据通讯线。

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lflgq

请教老师，EMMC连线点位中CMD CLK容易理解。但不知D0是否是I/O口的DATA0脚，如果是，为什么不是DATA1....或者DATA7 ？和寄存器的设置有关吗？谢谢。

wim

Thank you very much for your teaching.

Marcos53

Obrigado por compartilhar.

alibabaas

Thank you for your lesson !

lachula

Muchas Gracias - tutorial muy claro

576392678

学习啦  谢谢

小小维修工

学无止境学无止境